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自動欠陥レビュー機能を備えた唯一のウェハー製造AFM

欠陥のイメージングと解析を完全自動で行うAFMソリューションにより、
欠陥レビューにおける生産性を最大1000%向上

ParkのSmart ADRは、欠陥レビューと解析を完全自動化させ、重要なインラインポロセスにおける欠陥タイプを分類し、高解像度3Dイメージングを通じてその原因を特定できるようにします。特に半導体業界向けに設計された最先端の欠陥レビューソリューションであるSmart ADRは、座標の基準設定の過程において、サンプルに損傷を与えてしまうマーキングを行わずに自動で位置決めを行うことができます。Smar ADRのプロセスは、従来の欠陥レビュー方法と比べ、生産性を最大1000%向上させます。さらに、この新しいADR機能では、Parkの画期的な真のノンコンタクト™モードAFMテクノロジーにより、チップの寿命を最大20倍延ばすことができます。

正確でハイスループットのCMPプロファイル測定のための低ノイズ
原子間力プロファイラー

業界で最高の低ノイズを誇るParkのAFMとロングレンジスライディングステージとの組み合わせにより、化学機械研磨(CMP)の計測に対応した原子間力プロファイラー(AFP)が完成しました。新しい低ノイズAFPは、局所的、または広域においても均一性の高い測定が可能で、 市場で最も高い精度と再現性で非常にフラットなプロファイリングを提供します。独自の真のノンコンタクト™モードにより、チップの寿命を延ばすことで非破壊的なインライン測定を可能にし、さらにParkの革新的な真のサンプルトポグラフィー™によって、従来のピエゾチューブベースのAFPにおいて発生していたアーチファクトのないCMPプロファイルを取得することもできます。これにより、測定時に非線形成分や高い雑音バックグラウンドの除去する作業を行わずに、長距離プロファイリング計測を正確に行うことができるようになりました。

サブÅの表面粗さを極めて正確に測定し、チップ間のバラツキを最小化

ウェハーの表面粗さは、半導体デバイスの性能を決定する際に重要です。最先端のデバイスメーカーにとって、チップメーカーとウェハーサプライヤーのどちらにおいても、SiまたはSOIウェハーの超平坦面に対してさらに正確な粗さ制御を必要としています。業界で最も低い0.5Å未満のノイズフロアを実現し、真のノンコンタクト™モードと組み合わせることで、Park NX-Waferはプローブ間のバラツキを最小限に抑えてサブÅの粗さ情報を正確に得ることができます。また、Parkのクロストーク除去機能により、非常にフラットな表面であってもスキャン位置、スピード、サイズに関係なく、常にバックグラウンドの湾曲のない非常にフラットな直交XYスキャンが可能です。これにより、微小な粗さから広範囲のうねりまで、非常に正確で再現性の高い表面測定が可能です。

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